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  • ISSN 1006-3080
  • CN 31-1691/TQ
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IGBT数值模型建立及在三电平逆变电路的应用

    通讯作者: 魏磊, weiyy0303@yahoo.com.cn ; 陈权, chquan@126.com
  • 基金项目: 安徽省优秀青年人才基金(2010SQRL023ZD)

IGBT Numerical Modeling and Application in ThreeLevel Inverter

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出版历程

IGBT数值模型建立及在三电平逆变电路的应用

基金项目:  安徽省优秀青年人才基金(2010SQRL023ZD)

摘要: 采用PSpice仿真分析N沟道IGBT数值模型,该数值模型体现了MOSFET和双极型PNP晶体管特征。目前的许多仿真工具都很复杂,而且不能反映工作温度变化对器件参数的影响。本文参照测量和数据手册参数,提出了一种新颖、简捷的IGBT建模方法。根据FGW50N60HD型IGBT参数,建立该型号IGBT模型,并在三电平逆变电路中验证。该模型在外部温度环境变化时,容易修改模型的内部参数。仿真与实验结果证明了在不同温度条件下该模型的正确性。

English Abstract

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