3σ方法在磁记忆检测中的应用

李光霁; 孙国豪; 潘家祯

李光霁, 孙国豪, 潘家祯. 3σ方法在磁记忆检测中的应用[J]. 华东理工大学学报（自然科学版）, 2007, (5): 726-732.

引用本文:

李光霁, 孙国豪, 潘家祯. 3σ方法在磁记忆检测中的应用[J]. 华东理工大学学报（自然科学版）, 2007, (5): 726-732.

LI Guang-ji, SUN Guo-hao, PAN Jia-zhen. Application of the 3σ Method in Magnetic Memory Testing[J]. Journal of East China University of Science and Technology, 2007, (5): 726-732.

Citation:

LI Guang-ji, SUN Guo-hao, PAN Jia-zhen. Application of the 3σ Method in Magnetic Memory Testing[J]. Journal of East China University of Science and Technology, 2007, (5): 726-732.

3σ方法在磁记忆检测中的应用

Application of the 3σ Method in Magnetic Memory Testing

摘要

摘要: 通过对带有已知预制裂纹试块的检测曲线进行分析,提出了一种评定应力集中的方法--3σ方法.如果x服从正态分布,式μ=x±3σ具有概率含义:测定结果x落在(μ-3σ,μ 3σ)区间的概率为99.73%,概率不随σ的改变而改变.如果磁场强度变化曲线在(|μ-3σ |, ∞)内,就认为此部位有应力集中.3σ方法更加符合统计学规律,对缺陷的判断也更符合实际情况.

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