摘要: 本文描述了碳钢膏剂渗硅的工艺和理论。介绍了用金相、显微硬度,电子探针分析和X-射线结构分析等方法,测定渗硅层的组织结构及控制显微组织的工艺。在渗硅剂(组成:35—65%硅源粉、5%卤化物、30%防烧结剂)中加入比例大的卤化物,于1100—1180℃时对碳钢进行10—60分钟的膏剂渗硅,可得含硅量约为17.7%(重量)、厚度达0.18—1.2mm的渗层,其渗硅效率比气体法提高约一倍。氧化和腐蚀试验表明:渗硅层在750℃以下能有效地防止循环氧化;在40℃时能耐20%Ⅱ_?SO_4的腐蚀。此法操作简便,易于局部涂渗,渗层表面质量好。