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    朱光华, 黄颂羽. GaAs红外发光二极管的可靠性研究[J]. 华东理工大学学报（自然科学版）, 1997, (4): 499-502.
    引用本文: 朱光华, 黄颂羽. GaAs红外发光二极管的可靠性研究[J]. 华东理工大学学报（自然科学版）, 1997, (4): 499-502.
    shu
    Study on the Reliability of GaAs Light emitting Diode[J]. Journal of East China University of Science and Technology, 1997, (4): 499-502.
    Citation: Study on the Reliability of GaAs Light emitting Diode[J]. Journal of East China University of Science and Technology, 1997, (4): 499-502.
    shu

    GaAs红外发光二极管的可靠性研究

    Study on the Reliability of GaAs Light emitting Diode

      摘要
    • 摘要: 从反向测试中出现的二次击穿器件，分析了其失效原因，表明晶体内缺陷或机械损伤琪的热斑引起器件发生二次击穿，从而提出了工艺改进措施。

       

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