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    贾正东, 滕月莉. 染料敏化后ZnO超微薄膜的光电性能[J]. 华东理工大学学报（自然科学版）, 1999, (6): 625-628.
    引用本文: 贾正东, 滕月莉. 染料敏化后ZnO超微薄膜的光电性能[J]. 华东理工大学学报（自然科学版）, 1999, (6): 625-628.
    shu
    Photoelectrochemical Studies on Dye sensitized ZnO Ultra Particle Film[J]. Journal of East China University of Science and Technology, 1999, (6): 625-628.
    Citation: Photoelectrochemical Studies on Dye sensitized ZnO Ultra Particle Film[J]. Journal of East China University of Science and Technology, 1999, (6): 625-628.
    shu

    染料敏化后ZnO超微薄膜的光电性能

    Photoelectrochemical Studies on Dye sensitized ZnO Ultra Particle Film

      摘要
    • 摘要: 采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法，成功制备了ＺｎＯ超微薄膜。通过ＳＥＭ、紫外吸收光谱对ＺｎＯ超微薄膜性质进行了分析。采用罗丹明－Ｂ、叶绿素铜钠盐等染料对ＺｎＯ超微薄膜进行敏化，制作了光电化学电池。对敏化剂的特性进行了研究，实验证明罗丹明－Ｂ是很好的敏化剂。获得单位面积的最大开路电压为２２６ｍ Ｖ，最大短路电流为２２μＡ。

       

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